實驗室用納米CVD石墨烯/碳納米管合成器技術
? 型號。 納米CVD-8G(用于石墨烯合成)
?型號。 納米CVD-8N(用于碳納米管)
每批僅需 1 分鐘,可輕松合成高質量石墨烯和碳納米管
CVD法是一種穩定的技術,已經建立了多種用途,它是未來大規模合成石墨烯和碳納米管的最現實的方法,因此我們在這臺機器中采用了CVD方法。 制造商Moorfield與英國國家研究所合作,多次驗證了這種薄膜沉積實驗裝置。 在與研究機構的合作下,已經驗證了使用拉曼光譜,SEM,AFM等分析數據可以制備高質量的石墨烯和CNT樣品。
采用冷壁/高溫樣品加熱臺(熱板),反應快,重現性好。 設備小型化,加工時間縮短,可操作性強,可創建并存儲30種合成配方。 除了標準系統配置外,還可以根據要求定制設備配置。 nanoCVD系統是一種實驗裝置,盡管體積小,但具有為基礎研究和開發領域做出貢獻的無限潛力。
無需使用大型設備即可輕松進行石墨烯碳納米管 (SWNT) 沉積實驗
1批次只需30分鐘!
冷壁式高效高精度過程控制
快速升溫:室溫→1100°C約3分鐘
高性能機器,具有高精度的溫度流量控制和出色的可重復性
操作簡單! 通過 5 英寸觸摸屏進行操作和配方管理
最多可創建和保存 30 個配方和 30 步合成程序。
標配專用軟件,數據記錄為輸出PC上的CSV文件
USB電纜連接,PC端的配方創建→上傳到設備
帶旋轉泵的納米CVD-8N
nanoCVD-8N是一種通過CVD化學氣相沉積法使用各種基質和催化劑在短時間內生長CNT的系統。 碳納米管是通過將 CH2、C2H3 和 C3H4 等烴原料與薄膜或細顆粒(如鐵、鈷和鎳)反應產生的,這些薄膜或細顆粒用作催化劑,在石墨臺上使用 SiO1100/Si、Al4O2/Si 和 Si4N2 等基材在高達 2°C 的高溫下燃燒。
寬度為7um的低覆蓋率的SEM圖像
高覆蓋寬度2.8um的SEM圖像
使用納米CVD-8N制作的“SWNT森林"的SEM圖像,圖像寬度24um)
原子力顯微鏡圖像
拉曼光譜514nm激光器
D&G拉曼峰區域